湿法腐蚀的主要原料是什么

湿法腐蚀（湿法刻蚀）的主要原料根据目标材料和工艺需求不同，通常包括以下几类：

金属腐蚀

酸性溶液：

*（HF）：用于硅、玻璃等非金属的腐蚀，也用于金属表面氧化层的去除。

硝酸（HNO₃）：常用于钛、钨等金属的腐蚀，或与盐酸混合（如王水）腐蚀金、铂等惰性金属。

硫酸（H₂SO₄）：用于铝、铜等金属的腐蚀，也用于清洗氧化物。

磷酸（H₃PO₄）：用于腐蚀不锈钢、铝及其合金，腐蚀性较温和。

碱性溶液：

氢氧化钾（KOH）或*（NaOH）：用于硅的各向异性腐蚀（如MEMS器件加工）。

半导体材料腐蚀

氟化物体系：

*（HF）：腐蚀二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（SiN）等介质层。

缓冲氧化物刻蚀液（BOE）：HF与氟化铵（NH₄F）混合，用于精准控制SiO₂刻蚀速率。

氯基体系：

三氯化铝（AlCl₃）或三氯化硼（BCl₃）：用于硅的干法刻蚀（需等离子体辅助），但湿法中可能用于金属污染清洗。

光刻胶去除

显影液：

TMAH（四甲基氢氧化铵）：碱性显影液，用于溶解光刻胶。

AZ 700系列显影液：含酚类溶剂，用于正性光刻胶显影。

其他特殊腐蚀

*（H₂O₂）：用于氧化去除有机污染物或金属预腐蚀。

臭氧水（O₃）：用于表面有机物的去除或辅助腐蚀。

湿法腐蚀的核心是通过化学试剂与目标材料发生反应，实现选择性去除。具体原料需根据材料类型（金属、半导体、介质层等）、腐蚀精度要求及环保规范进行选择。